電子束蒸發(fā)

電子束加熱安裝及特點(diǎn)

電子束經(jīng)過(guò)5-10KV 的電場(chǎng)后被增速,然后聚焦到被蒸發(fā)的質(zhì)料外表,把能量轉(zhuǎn)達(dá)給待蒸發(fā)的質(zhì)料使其熔化并蒸發(fā).

無(wú)沾染:與坩堝交往的待蒸發(fā)質(zhì)料堅(jiān)持固態(tài)安定,蒸發(fā)質(zhì)料與坩堝產(chǎn)生反響的約莫性很小.(坩堝水冷)

熱電子發(fā)射(金屬在低溫形態(tài)時(shí), 其內(nèi)里的一局部電子取得充足的能量而逸出外表); 電子在電場(chǎng)中增速;聚焦電子束; 聚焦電子束轟擊被鍍質(zhì)料外表, 使動(dòng)能變成熱能.

直式槍: 高能電子束轟擊質(zhì)料將發(fā)射二次電子,二次電子轟擊薄膜會(huì)招致膜層布局粗糙, 吸取增長(zhǎng), 勻稱性變差.

e形槍: 蒸發(fā)質(zhì)料與陰極分開 (單獨(dú)處于磁場(chǎng)中),二次電子因遭到磁場(chǎng)的作用而再次產(chǎn)生偏轉(zhuǎn), 大大變小了向基板發(fā)射的幾率.

電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)

難熔物質(zhì)的蒸發(fā);以較大的功率密度完成快速蒸發(fā),避免合金分餾;同著安裝多個(gè)坩堝,同時(shí)或分散蒸發(fā)多種不同物質(zhì);大局部電子束蒸發(fā)體系接納磁聚焦或磁彎曲電子束,蒸發(fā)物質(zhì)放在水冷坩堝內(nèi).蒸發(fā)產(chǎn)生在質(zhì)料外表, 好效克制坩堝與蒸發(fā)質(zhì)料之間的反響,合適制備高純薄膜,可以制備光學(xué)、電子和光電子范疇的薄膜質(zhì)料,如Mo、Ta、Nb、MgF2、Ga2Te3、TiO2、Al2O3、SnO2、Si等;蒸發(fā)分子動(dòng)能較大, 能取得比電阻加熱更安穩(wěn)致密的膜層電子束蒸劈頭的缺陷:可使蒸發(fā)氣體和剩余氣體電離,偶爾會(huì)影響膜層質(zhì)量;電子束蒸鍍安裝布局繁復(fù),價(jià)格昂貴; 產(chǎn)生的軟X射線對(duì)人體有一定的損傷.