一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類及標(biāo)記
協(xié)同點(diǎn):
① 箭頭指向,代表的是襯底與溝道之間的PN結(jié)
N溝道:P型襯底,故G/B極箭頭指向內(nèi)
P溝道:N型襯底,故G/B極箭頭指向外
不同點(diǎn):
① JFET與MOSFET:由于MOSFET的G極有效SiO2作為絕緣柵,故沒有直連
② 加強(qiáng)型與耗盡型MOSFET:由于耗盡型有原始溝道,故D/B/S三極是連在一同的;加強(qiáng)型沒有,則是斷開的。
二、輸入特性
uGS 為常數(shù)時(shí),漏極iD電流為:
三種場(chǎng)效應(yīng)管的相反點(diǎn):
①. 可變電阻區(qū):UDS較小時(shí)(預(yù)夾斷前),iD隨UDS近似線性變動(dòng),變動(dòng)的斜率受UGS控制,D、S端展現(xiàn)電阻特性,為UGS的壓控電阻
②. 恒流區(qū):UGS對(duì)iD有很強(qiáng)的控制才能;UGS一定時(shí),隨著uDS增大,由于溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng),iD厘革不大(恒流特性)
不同點(diǎn):
①. 要到達(dá)一樣的漏極電流iD,不同管子的UGS不一樣,跟管子的布局有關(guān)
三、轉(zhuǎn)移特性
uDS 為常數(shù)時(shí),漏極iD電流為:
特點(diǎn)1:
N溝道的管子,uGS 開啟電壓從低到高依次為:JFET<耗盡型<加強(qiáng)型
P溝道的管子,uGS 開啟電壓從低到高依次為:加強(qiáng)型<耗盡型<JFET
特點(diǎn)2:
iD與uGS的平方律成恰比
*不管是輸入特性照舊轉(zhuǎn)移特性,N溝道總是與P溝道構(gòu)成以原點(diǎn)180°對(duì)稱。
附圖:MOSFET布局圖
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